浅谈NMOS3400管的主要参数

NMOS3400管的应用领域是什么？

　　NMOS3400管产业领域，步进电机驱动，钻孔工具，产业开关电源新能源领域，光伏逆变器，充电文件，无人机运输领域，车辆逆变器，汽车HID稳定器，电动自行车绿色照明领域，CCFL节能灯，LED照明电源，金属卤化物灯稳定器。

　　与双极晶体管相比，MOS管驱动通常被认为通过不需要MOS管的电流，GS电压高于一定值即可。这很容易做到，但我们仍然需要速度。从MOS管的结构可以看出，GS、GD之间有寄生电容，MOS管的驱动理论上是给电容充电。电容的充电需要电流。充电电容的瞬间可以把电容看作短路，所以瞬间电流会更大。选择/设计MOS管驱动器时，首先要注意的是能够提供瞬间短路电流的大小。其次，通常用于驱动NMOS，诱导时栅极电压必须大于源极电压。驱动MOS管的源极电压与泄漏电压(VCC)相同，因此栅极电压比VCC大4V或10V。假设要在同一系统中获得比VCC更大的电压，需要特别的升压电路。许多电动机驱动器都集成了电荷泵。请注意，为了获得足够的短路电流来驱动MOS管道，必须选择适当的外部电容器。上述4V或10V是常用MOS管道的传导电压，设计时当然需要一些余量。而且，电压越高，传导速度越快，传导阻力也越小。平时传导电压更小的MOS在很多领域工作，但在12V汽车电子系统中，普通的4V桶就足够了。

　　NMOS3400管的主要参数如下：

　　1.栅极源击穿电压BVGS-当栅极源电压增加时，栅极电流IG从零开始猛增时，VGS被称为栅极源击穿电压BVGS。

　　2.开电压VT-开电压(也称为阈值电压):启动在源极S和泄漏D之间配置导电沟所需的栅极电压。-标准N通道Moss管，VT约3 ~ 6v-改善将MOS管的VT值降低到2 ~ 3v的过程。

　　3.泄漏源屈服电压BVDS- VGS=0(强化)条件下，在增加泄漏源电压的同时，ID猛增的VDS，泄漏源屈服电压BVDS-ID猛增的原因有两个：

　　(1)泄漏极左侧近枯竭层雪崩破坏

　　(2)泄漏源极间穿透-在某些MOS管中，通道长度短，随着VDS的增加，漏水区域的贫化层有时会延伸到源区域，因此通道长度为零。也就是说，泄漏源之间发生通过，通过后，源区域的大部分载流子将直接承受枯竭层电场的吸收，到达泄漏区域。直流输入电阻RGS，即浇口源极之间添加的电压与浇口电流的比率-此特性有时表示为通过浇口的浇口流。-MOS管的RGS很容易超过1010。

　　低频跨导gm- VDS是一定的数字时，引起这种变化的栅极源电压微变量的比率称为跨导-gm。栅极源电压反映了对泄漏电流的控制能力。这是指示MOS管放大功能的重要参数。通常在几mA/V的范围内。