PMOS3401管的参数

PMOS3401管的主要参数是什么？

1.PMOS3401管的开启电压VT

导通电压(也称阈值电压):开始在源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;·通过生产工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. PMOS3401管的直流输入电阻RGS

施加在栅极源之间的电压与栅极电流之比

这个特性有时由流经栅极的栅极电流来表示。

MOS管的RGS可以很容易地进行超过1010Ω。

3. PMOS3401管的泄漏源击穿电压

在 vgs = 0(enhanced)的条件下，在增加漏源极电压的过程中，导致漏源极电压急剧增加的 vds 称为漏源极击穿电压

ID急剧增加有两个原因:

（1）漏极附近形成耗尽层的雪崩发生击穿

(2)排水源之间的故障

在某些 mos 晶体管中，沟道长度相对较短，增加 vds 会使漏区的耗尽层一直延伸到源区，使沟道长度为零，直接被耗尽层的电场吸引到漏区，产生较大的 id

4.PMOS3401管的栅源击穿电压BVGS

在增加栅源电压进行过程中，使栅极控制电流IG由零开始发展剧增时的VGS，称为栅源击穿产生电压BVGS。

5. PMOS3401管的低频跨导gm

在VDS为某一企业固定资产数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起我们这个发展变化的栅源电压微变量之比可以称为跨导

Gm 反映了栅源极电压对漏极电流的控制能力，是表征 mos 管放大能力的一个重要参数

通常在十分之几到几毫安的范围内。

6. PMOS3401管的导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性研究某一点切线的斜率的倒数

在饱和区，ID几乎一个不随VDS改变，RON的数值可以很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

在数字电路中，mos 晶体管通常在 vds = 0时工作，所以导通电阻 ron 可以被 ron 在原点近似

对于一般的MOS晶体管，RON在几百欧姆以内。

7. PMOS3401管的极间电容

三个不同电极材料之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CGS和CGD约为1~3pF，CDS约在0.1~1pF之间

8. PMOS3401管的低频噪声系数NF

噪音是由管内载流子运动的不规则引起的。由于它的存在，一个放大器即使没有信号输入，输出也会出现不规则的电压或电流变化

噪声的性能通常用噪声系数NF来表示，单位为分贝(dB)。数值越小，管道产生的噪音越小。

低频噪声影响系数是在低频范围内可以测出的噪声相关系数

场效应晶体管的噪声系数为几分贝，低于双极性晶体管。